Horizontální trubiční pec

Silicon Wafer je jedním z důležitých materiálů v polovodičovém průmyslu a jeho kvalita a výkon přímo ovlivňují spolehlivost a výkon polovodičových zařízení. Během zpracování jsou křemíkové destičky náchylné k protahování hranic zrn v důsledku stresu, což může vést k zlomenině a poškození krystalů křemíku. Prostřednictvím žíhání s vysokou teplotou v peci horiontální trubice může být napětí v křemíkové destičce odstraněno, udržovat jej neporušené a zabránit poškození mřížky křemíku.

Během procesu žíhání je křemíková destička umístěna uvnitř horiontální trubkové pece a udržována při vysoké teplotě po určitou dobu, což postupně uvolňuje vnitřní napětí křemíkové destičky a přeuspořádá se mříž, čímž se zlepšuje integritu mřížky křemíkové destičky.

Elektrické vlastnosti křemíkových destiček jsou jedním z klíčových faktorů ovlivňujících výkon polovodičových zařízení. Žíháním v horiontální trubkové peci lze zlepšit elektrické vlastnosti křemíkových destiček a jejich vodivost a stabilitu lze zvýšit.

Během procesu žíhání reaguje křemíková destička s atmosférou uvnitř pece při vysokých teplotách a odstraňuje oxid na povrchu křemíkové destičky a aktivuje atomy nečistot uvnitř křemíkového oplatky, čímž se zlepšuje jeho elektrické vlastnosti.

Povrch křemíkových destiček často obsahuje oxidy, které mohou ovlivnit jejich vodivost a stabilitu. Během výrobního procesu je nutné odstranit oxidy z povrchu křemíkových destiček, aby se zajistila jejich rovinnost a hladkost, čímž se zlepšila výkon polovodičových zařízení.

Horiontální trubiční pec může odstranit oxidy na povrchu křemíkových oplatků prostřednictvím kontroly atmosféry. Během procesu žíhání reaguje atmosféra uvnitř pece s oxidem na povrchu křemíkové destičky, aby se generovala těkavé látky, které jsou poté vybíjeny výfukovým systémem pece, aby se dosáhlo cíle odstranění oxidu.

V polovodičových zařízeních jsou křemíkové oplatky dopované různými materiály vyžadovány kvůli různým požadavkům na elektrický výkon. Horiontal trubková pec může používat různé parametry řízení atmosféry k řízení stupně a hloubky dopingu křemíkových oplatků, aby splňovaly požadavky různých zařízení pro doping silikonu.

Během dopingového procesu je křemíková destička umístěna uvnitř pece horiontální trubice a atmosféra uvnitř pece reaguje s křemíkovým oplatkem, což umožňuje dopovaným atomům vstoupit do vnitřku křemíkové oplatky. Úpravou parametrů, jako je atmosféra a teplota uvnitř pece, může být počet a distribuce dopovaných atomů kontrolován, aby se dosáhlo požadovaného dopingového účinku.

Ve výrobě polovodičů je někdy nutné připravit tenký film na povrchu křemíkové destičky, aby se zlepšil svůj výkon nebo dosáhl specifických funkcí. Horintal trubková pec může být použita pro přípravu tenkého filmu na povrchu křemíkových destiček.

Během procesu přípravy tenkého filmu je křemíková destička umístěna uvnitř vodorovné trubice frnace a atmosféra uvnitř pece reaguje s povrchem destičky křemíku při vysokých teplotách, aby se vytvořil požadovaný tenký film. Úpravou parametrů, jako je atmosféra, teplota a reakční doba uvnitř pece, lze ovládat tloušťka, složení a vlastnosti filmu.

Oxidace a nitridace křemíkových destiček jsou důležitými procesními kroky ve výrobě polovodičů. Horintal Trube pec lze použít pro oxidaci a nitriding léčbu křemíkových destiček.

Během oxidačního procesu je křemíková destička umístěna do pecí komory horizové trubkové pece a kyslík v komoře pece reaguje s povrchem křemíkové destičky při vysoké teplotě za vzniku filmu oxidu křemíku. Úpravou parametrů, jako je koncentrace kyslíku, teplota a reakční doba uvnitř pece, lze ovládat tloušťka a vlastnosti filmu oxidu křemíku.

Proces metalizace je jedním z důležitých kroků ve výrobě polovodičů, které se používají k vytvoření kovových elektrod nebo drátů na křemíkových opcích. Horintal Trube pece mohou být použity pro ošetření žíhání v metalizačních procesech ke zlepšení adheze a stability kovových elektrod nebo vodičů.

Během procesu žíhání je metalizovaná křemíková oplatka umístěna do pecí komory horintální trubkové pece a po určitou dobu je udržováno při vysoké teplotě, aby se spojila mezi kovovou elektrodou nebo drátem a křemíkovým oplatkem, čímž se zlepšila její adhezi a stabilitu.

Proces leptání je krok používaný ve výrobě polovodičů k odstranění přebytečného materiálu z povrchu křemíkových destiček. Horintální pec trubice může být použita pro léčbu žíhání po procesu leptání k odstranění poškození a stresu generovaného během leptacího procesu.

Během žíhání je leptaná křemíková oplatka umístěna uvnitř horintální trubice pece a udržována při vysoké teplotě po určitou dobu, což postupně uvolňuje vnitřní napětí křemíkové oplatky a přeskupuje mříž, čímž se odstraní poškození a napětí vytvořené během procesu leptání.

Proces balení je posledním krokem ve výrobě polovodičů, který se používá k zapouzdření polovodičových zařízení do ochranných skořápek, aby se zlepšila jejich spolehlivost a stabilitu. Horintální pec trubice může být použita pro léčbu žíhání v procesech balení k odstranění napětí a poškození generovaného během procesu balení.

Během procesu žíhání je zabalené polovodičové zařízení umístěno do horintální trubice a po určitou dobu je udržováno při vysoké teplotě, aby se napětí postupně uvolňoval uvnitř balicího materiálu, uspořádal mříž a odstranil napětí a poškození generované během procesu balení.